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VLF-50KV 超低頻高壓發(fā)生器

專業(yè)生產(chǎn)VLF-50KV 超低頻高壓發(fā)生器應(yīng)用于電力電纜、電力電容器、大中型發(fā)電機(jī)和電動(dòng)機(jī)等)耐壓試驗(yàn),VLF超低頻高壓發(fā)生器符合2004年國家新頒布電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件 DL/T849.4-2004》要求。

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-04-10
  • 訪  問  量:1329
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產(chǎn)品詳情

      VLF-50KV 超低頻高壓發(fā)生器又稱超低頻發(fā)生器、0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器、程控超低頻高壓發(fā)生器、超低頻交流耐壓裝置、30kv至50kV超低頻高壓發(fā)生器及超低頻交流高壓發(fā)生器,超低頻高壓發(fā)生器適用于絕緣等值電容較大的電氣設(shè)備耐壓試驗(yàn)項(xiàng)目,超低頻高壓發(fā)生器應(yīng)用于電力電纜、電力電容器、大中型發(fā)電機(jī)和電動(dòng)機(jī)等)耐壓試驗(yàn),VLF超低頻高壓發(fā)生器符合2004年國家新頒布電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件 DL/T849.4-2004》要求。

根據(jù)2004年國家新頒布電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件 DL/T849.4-2004》要求,電力預(yù)防性試驗(yàn)項(xiàng)目中把電力設(shè)備的耐壓分為工頻耐壓、變頻耐壓和超低頻耐壓,其中0.1HZ超低頻預(yù)防性耐壓技術(shù)是電工委員會(huì)推薦的低頻耐壓技術(shù),VLF超低頻高壓發(fā)生器是我公司自主開發(fā)的核心技術(shù)產(chǎn)品。

VLF-50KV 超低頻高壓發(fā)生器功能:

1、電流、電壓、波形數(shù)據(jù)均直接通過高壓側(cè)采樣獲得,所以數(shù)據(jù)真實(shí)、準(zhǔn)確
2、過壓保護(hù):當(dāng)輸出超過所設(shè)定的限壓值時(shí),測(cè)試儀將停機(jī)保護(hù),動(dòng)作時(shí)間小于20毫秒
3、過流保護(hù):設(shè)計(jì)為高低壓雙重保護(hù),高壓側(cè)可按設(shè)定值進(jìn)行精確停機(jī)保護(hù);低壓側(cè)的電流超過額定電流時(shí)將進(jìn)行停機(jī)保護(hù),動(dòng)作時(shí)間都小于20毫秒
4、高壓輸出保護(hù)電阻設(shè)計(jì)在升壓體內(nèi),所以外面不需另接保護(hù)阻
5、VLF超低頻高壓發(fā)生器采用了高低壓閉環(huán)負(fù)反饋控制電路,輸出無容升效應(yīng)

技術(shù)參數(shù):

型號(hào)額定電壓帶載能力電源保險(xiǎn)管產(chǎn)品重量
VLF-30KV
超低頻高壓發(fā)生器
30kV/20mA
(峰值)
0.1Hz,≤0.5μF~1.1μF5A控制器:4kg
升壓體:25kg
0.05Hz,≤0.5μF~2.2μF
0.02Hz,≤0.5μF~5.5μF
VLF-50KV
超低頻高壓發(fā)生器
50kV/30mA
(峰值)
0.1Hz,≤0.5μF~1.1μF7A控制器:4kg 
升壓體:50㎏
0.05Hz,≤0.5μF~2.2μF
0.02Hz,≤0.5μF~5.5μF
VLF-60KV
超低頻高壓發(fā)生器
60kV/30mA
(峰值)
0.1Hz,≤0.5μF9A控制器:4kg 
升壓體1(30kV):25kg 
升壓體2(30kV):25kg
0.05Hz,≤0.5μF~1μF
0.02Hz,≤0.5μF~2.5μF
VLF-80KV
超低頻高壓發(fā)生器
80kV/30mA
(峰值)
0.1Hz,≤0.5μF12A控制器:4kg 
升壓體1(30kV):25kg 
升壓體2(50kV):50kg
0.05Hz,≤0.5μF~1μF
0.02Hz,≤0.5μF~2.5μF
輸出:額定電壓參見上表(表1)
輸出:頻率參見上表(表1)0.1Hz ,zui大1.1 μf
0.05 Hz zui大2.2 μf
0.02 Hz zui大5.5 μf
精度1%
電壓正,負(fù)峰值誤差≤3%
電壓波形失真度≤5%
使用條件戶內(nèi)、戶外
溫度-10℃~+40℃
濕度≤85%RH
電源交流50 Hz,220V ±5%
保險(xiǎn)管參見上表(表1)
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